바로가기 메뉴
메인메뉴 바로가기
서브메뉴 바로가기
본문내용 바로가기

한국전기연구원

  • 사이트맵
  • 인트라넷
  • 어린이
  • ENGLISH
  • SEARCH
모바일메뉴오픈

세계 최고 수준의 전기전문 연구기관 GLOCAL KERI

KERI First in Korea, Best in the WorldKERI

> 연구분야 > 전력기기연구본부 > 전력반도체연구센터
연구분야 > 전력기기연구본부 > 전력반도체연구센터

센터소개

전력반도체연구센터

전력반도체연구센터는 전력을 제어하는 반도체를 개발하고 있습니다.

전력반도체는 전력시스템, 전기기기, 자동차, 가전기기 등 전기를 사용하는 모든 시스템에 필수불가결하여 전력산업과 전기공업의 핵심부품이라고 할 수 있습니다.

최근 대두된 신재생에너지는 전력반도체를 매개로 하여 전력망과 연계되며, 특히 직류-교류 전력의 변환과정에서 에너지 절약기술은 어느 때보다 중요해지고 있습니다. 전력반도체연구센터는 아래의 전력반도체를 중점적으로 개발하고 있습니다.

손실이 작은 차세대 전력반도체를 개발하고 있습니다. 전력을 변환하는 과정에서 전력반도체는 어느 정도의 전력손실이 발생하는데 SiC, GaN과 같은 신소재 반도체를 개발하여 국가 전기에너지의 1%(연간 약 5,000GWh)를 절약할 수 있도록 하겠습니다.

전기전자 기기를 지능화하고 시스템 효율을 높이는 전력반도체 집적회로(파워 IC)를 개발하고 있습니다. 저희 센터가 개발한 파워 IC는 텔레비전이나 모니터 등 가전제품의 대기전력을 1와트 이하로 줄일 수 있습니다.

전력반도체센터는 약 20년간 정부출연 연구기관으로서는 유일하게 전력반도체와 파워 IC 연구를 수행하여 왔으며 앞으로도 우수한 전력반도체를 개발하여 전력산업의 발전과 전기에너지 절약을 실현하겠습니다.

방욱

전력반도체연구센터장 방 욱

연락처보기

연구내용

주요연구내용
  • SiC 기반 고전압 스위치 소자 연구
  • SiC 기반 전력용 다이오드 개발연구
  • 화합물 전력반도체 신소자 연구
  • SiC 전력반도체 단결정 성장 기술개발
  • 전력반도체 재료결함-전기적 특성 상관관계 연구
  • 고효율 파워 매니지먼트 IC 기술 개발
  • 고밀도, 초소형 칩형 전원장치 연구
  • AC & DC LED 구동 고효율 IC 연구
  • 모터 구동 IC 연구
  • 혼성신호(Analog & Mixed) SoC 기반 기술 연구
  • SiC 소작 전용 구동 집적회로 연구
  • SiC 집적회로(CMOS & Bipolar) 기술연구
주요연구성과
  • 1994년 - 1200V 100A급 BJT 개발
  • 1997년 - 2500V 1500A 사이리스터
  • 1997년 - 600V 다이오드 모듈
  • 2000년 - 1200V 120kA dynister 개발
  • 2003년 - 4500V IGCT 개발
  • 2005년 - 600V SiC 다이오드 개발
  • 2006년 - 역률보상 IC
  • 2006년 - SiC epitaxy 기술개발
  • 2007년 - 2kV SiC 다이오드 개발
  • 2009년 - 대기전력절감 전원제어 IC
  • 2010년 - 600V SiC MOSFET 개발
  • 2012년 - 디밍기능 DC LED 구동 IC
  • 2012년 - 하프 브릿지 공진형 제어 IC
  • 2012년 - AC LED 구동 IC 개발
  • 2013년 - 1200V SiC MOSFET 개발
  • 2016년 - 4.5kV급 SiC MOSFET 개발
  • 2017년 - 반절연 기판에의 lateral SiC MOSFET 세계 최초 개발